2024年全球第三代半導體材料市場競爭格局分析 市場競爭愈發激烈【組圖】

行業主要上市公司：華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數據：碳化硅、氮化鎵市場競爭格局

1、全球第三代半導體材料行業企業競爭格局

——碳化硅行業全球企業競爭格局

(1)襯底

根據Yole的數據，2022年全球碳化硅襯底市場中，美國Wolfspeed、美國II-VI和日本Rohm(收購德國SICrystal)三家企業合計占據全球約72%的市場份額。中國公司天科合達、天岳先進努力追趕，2022年導電型襯底合計實現營收1.04億美元，合計占比15%，同比+5pct。

(2)外延

高品質的碳化硅外延晶片生長受到外延生長過程中使用的CVD外延爐、襯底等上游設備及材料的影響。國際上已經商業化量產的SiC-CVD設備有意大利LPE、德國Axitron和日本NuFlare產品，這三家公司也占據了國內市場。

——氮化鎵行業全球企業競爭格局

射頻元器件市場是氮化鎵的主要應用領域。從該市場的競爭情況來看，全球氮化鎵主要創新主體的龍頭主要集中于日本。氮化鎵產業國外重點企業包括日本住友、美國科銳、德國英飛凌、韓國LG、三星等，中國企業代表有，晶元光電、三安光電、臺積電、華燦光電等，其中，GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底，而科銳擁有最強的實力，在射頻應用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技術斱面，該公司處于領先地位，遠遠領先日系廠商住友電工和富士通;日本住友全球率先量產氮化鎵襯底，是全球氮化鎵射頻器件主要供應商，同時也是華為GaN射頻器件主要供應商之一。

2、全球第三代半導體材料行業區域競爭格局

——碳化硅行業全球區域競爭格局

從地區市場情況來看，亞太地區是最大的SiC地區市場。中國、日本、韓國和印度新能源汽車銷量的高速增長，使得亞太區域成為全球SiC的主導市場。從企業來看，美國、歐洲和日本企業為SiC整個行業的領先者，國內廠商具備加速替代趨勢。

——氮化鎵行業全球區域競爭格局

目前，全球氮化鎵產業主要集中在美國、日本、歐洲和中國等國家和地區。其中，美國在氮化鎵襯底材料和外延片生長技術方面處于領先地位，日本在氮化鎵器件設計和封裝測試方面具有較強實力，歐洲在氮化鎵應用領域的研究較為深入，而中國則在氮化鎵全產業鏈布局上取得了顯著進展。據大西洋調研公司數據，GaN方面，北美是最大的市場，2022年占比為37%左右;而亞太地區GaN增長最快，2022-2030年將保持約24.3%的復合年增長率。

3、全球第三代半導體材料行業競爭趨勢分析

當前全球第三代半導體材料行業企業競爭趨勢主要為加速產能擴張、技術升級和產業鏈垂直整合，從區域競爭來看，在多國采取巨額投資吸引半導體產業回流的背景下，區域競爭逆全球化趨勢或將加劇。

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告》。

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