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邀請演講分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導體功率器件產品；其中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。
在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統；20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展；20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發展起來；20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代；20世紀90年代，超結MOSFET逐步出現，打破傳統"硅限"以滿足大功率和高頻化的應用需求；2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導體功率器件的性能進一步提升。
當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。
對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。不過，國內行業內企業通過多年的技術和資本積累，依托國家產業政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域。
半導體分立器件是電力電子產品的基礎之一，也是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業及自動控制、計算機及周邊設備、網絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。從細分市場來看，半導體分立器件受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級、互聯網等普及的趨勢，其市場也逐步向高端推進。近年來，受益于國際電子制造產業的轉移，以及下游行業需求的拉動，我國半導體分立器件行業保持了較快的發展態勢。
據國家統計局規模以上工業統計數據顯示，近幾年來，分立器件行業規模以上企業主營業務收入占半導體行業規模以上企業主營業務收入的比重維持在22%-25%之間。 據中國半導體行業協會統計數據顯示，2017年，我國半導體分立器件全年銷售規模已達2473.9億元，較2016年增長10.60%。據前瞻測算，2018年全年，我國半導體分立器件行業銷售額達到2669.3億元。
下游市場需求直接拉動了半導體分立器件的生產規模。改革開放以來，特別是進入21世紀后，我國半導體分立器件行業內企業不斷增加，分立器件的產量隨之攀升；2011年，我國半導體分立器件的整體生產規模為4134.1億只，至2017年增長至7301.5億只，年均復合增長率達到9.94%。據前瞻測算，2018年全年，半導體分立器件行業生產規模達到7754.9億只。
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