2024年中國MOSFET行業技術發展現狀分析 寬禁帶材料為核心發展方向【組圖】

行業主要上市公司：華潤微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚杰科技(300373.SZ)等

本文核心數據：MOSFET行業研發投入情況

——MOSFET技術發展歷程

MOSFET的技術迭代歷程總體可以總結為技術革新、工藝進步、材料升級三大部分，MOSFET在設計上經歷了平面型、溝槽型、超級結等多個技術革新階段，每一次技術上的迭代伴隨著MOSFET生產工藝的革新以及元器件結構的變化，近年來SiC、GaN等材料的應用，使得寬禁帶材料成為了MOSFET發展的核心方向。

——不同類別各有優勢

MOSFET是一種全控制型半導體功率分立器件，通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小，并實現開通和關斷。常用產品種類較多，按載流子類型可分為N型和P型MOSFET兩大類。按溝道形成方式可分為增強型和耗盡型MOSFET兩種，增強型MOSFET是主要產品類型。具有輸入阻抗大、導通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高，工藝基本成熟，成本低的特點。MOSFET應用領域非常廣，主要使用在電源和驅動控制兩類電子產品中。

當前，按照溝道結構劃分，可以將目前的MOSFET功率器件分為平面型、溝槽型和超結型三類，其相關特征具體如下：

——行業整體研發投入規模及力度較大

從行業整體的研發投入情況來看，2018-2022年期間，中國MOSFET行業整體研發投入規模呈逐年上升的趨勢，研發投入強度呈現先有所下滑后企穩的趨勢。2022年，中國MOSFET行業整體研發投入為260.77億元，研發投入強度為9.9%。總體來看，我國MOSFET行業研發投入力度較大。

注：1)研發投入規模為MOSFET行業中企業研發投入的總和;2)研發投入強度為研發投入規模占營業收入的比值;3)MOSFET行業為前瞻針對企業主營業務篩選出的上市企業樣本，樣本中共包括37個上市企業，特此說明。

——行業代表性廠商技術進展

從我國MOSFET行業代表性廠商的技術進展情況來看，廠商多聚焦于第三代半導體的研發，采用SiC、GaN等材料進行新系列的產品研發，除此之外，以斯達半導為代表的廠商亦聚焦于車用MOSFET領域進行研發與生產。

——MOSFET行業技術發展趨勢

結合當前MOSFET行業的技術進展以及產品發展路線，可以得知以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導體將成為行業的核心發展方向，對MOSFET行業的技術發展趨勢總結如下：

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