2024年MOSFET行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)分析——SiC MOSFET(含發(fā)展歷程、競(jìng)爭(zhēng)格局等)【組圖】

行業(yè)主要上市公司：華潤(rùn)微(688396.SH);士蘭微(600460.SH);新潔能(605111.SH);揚(yáng)杰科技(300373.SZ)等

本文核心數(shù)據(jù)：SiC MOSFET技術(shù)路線，SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)格局

——SiC MOSFET發(fā)展歷程

SiC MOSFET是近年來(lái)MOSFET行業(yè)進(jìn)行技術(shù)迭代的主要方向，相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。目前，SiC MOSFET的發(fā)展主要經(jīng)歷了三個(gè)階段，其發(fā)展歷程具體如下：

——SiC材料的優(yōu)越性

SiC即碳化硅，作為一種半導(dǎo)體材料，具有可耐高壓、高溫、高頻的性質(zhì)，在助力設(shè)備輕量小型化上具有較為明顯的優(yōu)勢(shì)。SiC的禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等性質(zhì)，且器件在關(guān)斷過(guò)程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，開關(guān)損耗低，可以大幅提高開關(guān)頻率。碳化硅材料的優(yōu)越性能使得相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低為1/200，尺寸減小為1/10;相同規(guī)格的使用MOSFET的逆變器與硅基IGBT相比，總能量損失小于1/4。

——SiC MOSFET技術(shù)路線

功率SiCMOSFET主要有2種技術(shù)路線，根據(jù)柵極工藝分為平面型MOSFET(VDMOS)和溝槽型MOSFET(TMOS)，。多數(shù)產(chǎn)品均采用SiC VDMOS結(jié)構(gòu)，其工藝簡(jiǎn)單、阻斷能力強(qiáng)，然而導(dǎo)通電阻較大;SiC TMOS是目前的研究熱點(diǎn)，其溝道遷移率高，但工藝較為復(fù)雜，受柵氧可靠性影響導(dǎo)致阻斷能力較差。

——SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)格局

近年來(lái)，隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，包括SiC MOSFET在內(nèi)的額碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。結(jié)合TrendForce數(shù)據(jù)，2022年SiC功率半導(dǎo)體的主要廠商的市場(chǎng)份額情況，意法半導(dǎo)體(36.5%)，其次是英飛凌(17.9%)、Wolfspeed(16.3%)、安森美(11.6%)、羅姆(8.1%)占據(jù)了較大的部分，剩余廠商的僅占9.6%，可以認(rèn)為目前SiC MOSFET市場(chǎng)主要依舊掌握在海外廠商手中。前瞻匯總的SiC MOSFET主要廠商產(chǎn)品概況如下：

——SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前，在650-3300V的電壓范圍內(nèi)，SiC MOSFET已形成了較為成熟的技術(shù)，同時(shí)相關(guān)產(chǎn)品已逐步推出，目前，為提高半導(dǎo)體元器件的性能與可靠性，未來(lái)SiC MOSFET的發(fā)展方向主要聚焦于以下幾個(gè)方面：

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