2023年全球IGBT芯片行業競爭格局分析 歐美地區市場份額領先【組圖】

 行業主要上市公司：宏微科技（688711）；斯達半導（603290）；華潤微（688396）；時代電氣（688187）；士蘭微（600460）；比亞迪（002594）等

本文核心數據：全球IGBT單管廠商市場占有率

全球IGBT芯片行業發展歷程

總體而言，IGBT芯片行業發展歷程根據工藝技術的發展史大致可以分為三個階段：

全球IGBT芯片行業區域發展格局

根據頭部IGBT廠商市場份額分析，歐洲地區約占IGBT芯片市場的35%，主要參與者有英飛凌、安森美、意法半導體等；亞太地區占比約為30%-35%，主要競爭者有三菱電機、富士電機、日立等；北美市場份額約為15%，主要競爭者有安森美、德州儀器等。

全球IGBT芯片重點區域市場分析

IGBT是由BJT(雙極結型晶體三極管) 和MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件，而美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS和Vishay等廠商。

歐洲擁有Infineon、ST和NXP三家全球半導體大廠，產品線齊全，無論是功率IC還是功率分離器件都具有領先實力。

根據Omdia數據，2021年，全球功率半導體芯片十強中有一半為日本企業，包括三菱電機（第4）、富士電機（第5）、東芝（第6）、瑞薩（第9）、ROHM（第10）。五家企業的營收在過去三年內大體保持在榜單總營收的三分之一左右。在IGBT芯片領域，日本領先廠商眾多，包括三菱電機、富士電機、日立等，中國的士蘭微等企業也憑借在IGBT芯片領域長期的投入和鉆研，在國際競爭格局中逐漸占有一席之地。

全球IGBT芯片廠商競爭格局

根據Omdia數據，在全球IGBT單管領域，市占率長期排名前二的為英飛凌和富士；2020年全球前五大廠商市占率合計達67.4%。

以上數據來源于前瞻產業研究院《中國IGBT芯片行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》。

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