【行業(yè)深度】洞察2021：全球存儲芯片行業(yè)競爭格局及市場份額(附市場集中度、企業(yè)競爭力評價等)

存儲芯片行業(yè)主要上市公司：中芯國際(688981)、兆易創(chuàng)新(603986)、紫光國微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心數(shù)據(jù)：DRAM/NAND Flash/NOR Flash市場份額、市場集中度

1、全球存儲芯片行業(yè)競爭層次

目前，全球存儲芯片市場高度集中，代表企業(yè)包括韓國的三星、SK海力士;美國的美光、西部數(shù)據(jù);日本的鎧俠等，我國企業(yè)中長江存儲、長鑫存儲分別在NAND Flash、DRAM市場中不斷發(fā)力，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距;在NOR Flash全球市場中，我國企業(yè)兆易創(chuàng)新占據(jù)前三，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導體存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。

2、全球存儲芯片行業(yè)市場份額

從存儲芯片細分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%左右的市場份額，DRAM、NAND Flash和NOR Flash為存儲芯片三大主流產(chǎn)品。2020年，全球DRAM市場中三星、SK海力士、美光市場份額分別達到42.71%、29.27%、22.52%;NAND Flash經(jīng)過幾十年的發(fā)展，已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局;全球NOR Flash市場中華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新排名前三，市占率分別為25.4%、22.5%、15.6%。

3、全球存儲芯片行業(yè)市場集中度

整體來看，全球存儲芯片行業(yè)集中度較高，從存儲芯片三大主流產(chǎn)品來看，2020年DRAM和NAND Flash市場集中度(CR3、CR5)較2019年略有下降，但仍然保持在較高水平(2020年DRAM和NAND Flash市場CR5分別達到98.48%、89.17%，NOR Flash市場CR5也達到78.4%)。

4、全球存儲芯片行業(yè)企業(yè)布局及競爭力評價

從全球存儲芯片企業(yè)業(yè)務(wù)布局來看，三星、SK海力士、美光在主要存儲芯片產(chǎn)品NAND Flash和DRAM產(chǎn)品中占據(jù)絕對優(yōu)勢地位，鎧俠、西部數(shù)據(jù)、長江存儲主要布局在NAND Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品包含NOR Flash、小容量NAND Flash、以及少量DRAM(由合肥長鑫生產(chǎn))。國外企業(yè)大多采取IDM模式(企業(yè)業(yè)務(wù)覆蓋存儲芯片的設(shè)計、制造、封裝和測試的所有環(huán)節(jié))，我國企業(yè)中兆易創(chuàng)新采取Fabless模式(無晶圓生產(chǎn)線集成電路設(shè)計模式)。

5、全球存儲芯片行業(yè)競爭狀態(tài)總結(jié)

從五力競爭模型角度分析，存儲芯片行業(yè)現(xiàn)有競爭者數(shù)量較少，行業(yè)集中度較高，企業(yè)紛紛加大存儲芯片新技術(shù)工藝的推進力度，行業(yè)現(xiàn)有競爭者競爭較為激烈;從上下游來看，由于存儲芯片行業(yè)被國際巨頭壟斷，存儲芯片對上游供應(yīng)商和下游購買者的議價能力較高;從替代品威脅來看，由于行業(yè)產(chǎn)品特性和技術(shù)特征，存儲芯片行業(yè)替代品威脅較小;從潛在進入者威脅來看，目前，對于潛在進入者而言，存儲芯片行業(yè)市場對手過于強大，受資金和技術(shù)限制，行業(yè)進入壁壘較高，因此存儲芯片行業(yè)潛在進入者的威脅不大。

以上數(shù)據(jù)參考前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國存儲芯片行業(yè)市場需求與投資前景預(yù)測》，同時前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資、IPO募投可研、招股說明書撰寫等解決方案。

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