2021年中國存儲芯片行業市場競爭格局與發展趨勢分析 國產存儲芯片奮起直追

在國家大力支持半導體產業發展的大背景下，半導體行業迅速發展，推動中國存儲芯片應用場景不斷拓寬。2016年以來，國內存儲芯片行業涌現出一批新型企業，為打破國外企業的壟斷做出了杰出貢獻。

存儲芯片行業主要上市公司：中芯國際(688981)、兆易創新(603986)、紫光國微(002049)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)等

本文核心數據：全球存儲芯片行業競爭層次、中國存儲芯片行業發展歷程、中國存儲芯片市場廠商競爭力分析。

1、全球存儲芯片行業集中度高，國內市場處于成長階段

存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域。

目前全球儲存芯片市場被海外企業壟斷。DRAM領域，三星、美光、SK海力士占據95%的市場份額;NAND Flash領域被三星、美光、SK海力士、英特爾壟斷;NOR Flash領域海外壟斷程度最低，旺宏、華邦、兆易創新市占率前三，合計占據70%份額。

我國具有設計存儲芯片的頭部企業主要包括長江存儲、長鑫存儲、兆易創新、紫光國芯、中芯國際以及華虹半導體等，主要存儲芯片業務布局為NOR Flash及閃存芯片設計。

2、中國存儲芯片奮起直追

雖然目前我國存儲芯片行業全球市場份額較低，但其發展迅速，目前技術水平已達到行業主流水準。2016年以前，我國還不具有存儲芯片研發、生產能力，芯片需求完全依賴進口。2016-2018年，武漢新芯、合肥長鑫、長江存儲相繼成立。

2018-2020年，長江存儲攻克64層3DNAND技術并開始量產，打破了NAND Flash芯片的國際壟斷。2021年，兆易創新推出首款自有品牌DDR4產品，實現了從設計、流片，到封測、驗證的全國產化。

3、長江存儲完成128層NAND Flash存儲芯片技術突破

存儲芯片有多種細分市場，以NAND Flash和DRAM存儲芯片為主。長江存儲作為我國NAND Flash龍頭企業，完成128層NAND Flash存儲芯片技術突破。Trendforce數據顯示，三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發展并成為主流。

在2018年后，中國的長江儲存技術出現在世界視野中，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產，擬用于UFS、SSD等各類終端產品，并同時出貨給模組廠。

4、合肥長鑫DRAM存儲芯片產能快速擴張

在DRAM存儲芯片市場，合肥長鑫完成快速增產。根據Trendforce數據，2020年美光和南亞尚未看到增產計劃，三星與海力士有望在2021年分別擴產3萬片/月、1萬片/月，合肥長鑫將迎來快速增產的階段，有望從2020年3季度的4萬片/月到2021年4季度增產至8.5萬片/月。

5、中國存儲芯片：后來居上，前途廣闊

中國存儲芯片廠商發展力強，成長空間較大。從中國存儲芯片行業競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體發展的重要角色。

總而言之，中國存儲芯片行業發展形勢較為樂觀，但還有一段漫長的路要走。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國存儲芯片行業市場需求與投資前景預測》，同時前瞻產業研究院還提供產業大數據、產業研究、產業鏈咨詢、產業圖譜、產業規劃、園區規劃、產業招商引資、IPO募投可研、招股說明書撰寫等解決方案。

更多深度行業分析盡在【前瞻經濟學人APP】，還可以與500+經濟學家/資深行業研究員交流互動。