2020年全球及中國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析 核心半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)突破

2019年全球分立功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模達到403億元，2015-2019年復(fù)合增長率為5.3%。在中國市場，分立功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模呈現(xiàn)增長，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復(fù)合年增長率約7.3%。

全球市場規(guī)模不斷增加

分立功率半導(dǎo)體器件指用于電力電子作為開關(guān)或整流器的分立半導(dǎo)體器件，且與其他功率器件組裝時作為功率IC的一部分。分立功率半導(dǎo)體器件可分為三極管、品閘管和二極管。

2019年全球分立功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模達到403億元，2015-2019年復(fù)合增長率為5.3%。未來，隨著全球需求的普遍增加，加上中國制造分立器件的能力增長，預(yù)計市場規(guī)模將會繼續(xù)增長。

在全世界上，除MOSFET之外的三極管如IGBT及BJT在按產(chǎn)品類別劃分的市場份額一直維持領(lǐng)先，2019年占36.9%;市場份額排在第二位的是二極管，2019年占比為32.7%;MOSFET市場份額為26.0%，排名第三。

MOSFET在中國市場占據(jù)首位

在中國市場，分立功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模呈現(xiàn)增長，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復(fù)合年增長率約7.3%。展望未來，依據(jù)全球需求的普遍上升，加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能，市場規(guī)模預(yù)期將會持續(xù)增長。

按器件類別劃分，MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當(dāng)中排名首位，2019年占市場規(guī)模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。

在MOSFET下游應(yīng)用(如電動車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(連接至互聯(lián)網(wǎng)的實體裝置，即IoT)及消費電子產(chǎn)品)的快速發(fā)展基礎(chǔ)下，按MOSFET銷售額劃分的市場規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復(fù)合年增長率約9.2%。

2019年中國的MOSFET、IGBT及二極管之出口值分別為24.39億元、20.91億元及15.95億元，自2015年至2019年分別按4.0%、4.7%及3.9%的復(fù)合年增長率增長。

通過資金投資及科學(xué)合作發(fā)揮的巨大力量使電子產(chǎn)品及半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)持續(xù)突破。例如，晶圓尺寸持續(xù)擴大以滿足容納更多微芯的需求且中國硅料供應(yīng)商的目標(biāo)為在國內(nèi)開發(fā)更大的12英寸晶圓，以取代現(xiàn)有的六英寸晶圓。因此，分立功率半導(dǎo)體器件制造商若具備敏感度并能符合新發(fā)展技術(shù)趨勢，將能建立其競爭優(yōu)勢。

更多數(shù)據(jù)請參考前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測分析報告》，同時前瞻產(chǎn)業(yè)研究院提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)申報、產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資、IPO募投可研等解決方案。

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