2024年全球高帶寬存儲器行業發展歷程分析 行業已經入快速迭代階段【組圖】

行業主要上市公司：紫光國微(002049)、太極實業(600667)、通富微電(002156)、國芯科技(688262)、長電科技(600584)、華天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龍(301308)等

本文核心數據：行業發展歷程;產品發展歷程;企業發展歷程

1、定義

高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory，HBM)是易失性存儲器的一種。作為全新一代的CPU/GPU內存芯片，HBM本質上是指基于2.5/3D先進封裝技術，把多塊DRAM堆疊起來后與GPU芯片封裝在一起，實現大容量，高位寬的DDR組合陣列。

2、行業發展歷程：已進入快速迭代階段

全球HBM行業發展主要分三個階段：初始階段(2013-2014年)，HBM全球首款產品出現，標志著HBM技術的商業化起步;發展階段(2015-2018年)，企業加速布局HBM產品，相關標準發布;快速迭代階段(2019年至今)，HBM產品已發展至第五代，芯片容量和帶寬快速提升。

3、產品發展歷程：當前HBM產品已經發展至第五代

第一代HBM產品由SK海力士于2014年發布，此后每一代HBM的升級更迭，在內存帶寬、I/O速率等方面都迎來明顯提升，當前HBM已發展至第五代(HBM3e)，容量最高可達36GB，內存帶寬已提升至1.2TB/s，I/O速率最高可達9.2Gbps。

3、企業布局歷程：海力士最早布局HBM行業

第一代HBM產品由SK海力士于2014年發布，2019年海力士成功量產HBM2E，隨后三星和美光科技相機宣布量產HBM2E，2024年，海力士與臺積電聯合開發HBM4，并計劃2025年完成開發。

——發展歷程總結

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《全球存儲器行業市場調研與發展前景預測分析報告》

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